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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL QS3383HM-S227 |
緩沖器,驅動器,接收器,收發器 |
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散裝 |
BUS EXCHANGER, 10 BIT, TRUE OUT |
邏輯類型:-|元件數:-|每個元件位數:-|輸入類型:-|輸出類型:-|電流 - 輸出高、低:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL EP1C3T144A8N |
FPGA(現場可編程門陣列) |
144-TQFP(20x20) |
託盤 |
IC FPGA 104 I/O 144TQFP |
LAB/CLB 數:291|邏輯元件/單元數:2910|總 RAM 位數:59904|I/O 數:104|柵極數:-|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.575V|安裝類型:表面貼裝型|工作溫度:0°C ~ 85°C(TJ) |
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MSL S912ZVMA1F0WLF |
MCU 單片機 |
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託盤 |
VMA16, 16K FLASH, 1K RAM, 48LQFP |
核心處理器:-|內核規格:-|速度:-|連接能力:-|外設:-|I/O 數:-|程式存儲容量:-|程式記憶體類型:-|EEPROM 容量:-|RAM 大小:-|電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):-|數據轉換器:-|振盪器類型:-|工作溫度:- |
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MSL TLC2578IDWG4 |
模數轉換器(ADC) |
24-SOIC |
管件 |
IC ADC 12BIT SAR 24SOIC |
位數:12|採樣率(每秒):200k|輸入數:4,8|輸入類型:個偽差分,單端|數據介面:SPI|配置:MUX-S/H-ADC|比率 - S/H:1:1|A/D 轉換器數:1|架構:SAR|參考類型:外部|電壓 - 供電,模擬:5V|電壓 - 供電,數字:2.7V ~ 5.5V|特性:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL THS4504D |
儀器,運算放大器,緩衝器 |
8-SOIC |
散裝 |
IC OPAMP DIFF 1 CIRCUIT 8SOIC |
放大器類型:差分|電路數:1|輸出類型:差分|壓擺率:1800V/µs|增益帶寬積:210 MHz|-3db 帶寬:260 MHz|電流 - 輸入偏置:4 µA|電壓 - 輸入補償:4 mV|電流 - 供電:16mA|電流 - 輸出/通道:130 mA|電壓 - 跨度(最小值):4.5 V|電壓 - 跨度(最大值):15 V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL CY14B256L-SP45XC |
Storage |
48-SSOP |
管件 |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 48SSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL BQ294512DRVR |
電池管理 |
6-WSON(2x2) |
卷帶(TR) |
IC BATT PROT LI-ION 2-3CEL 6WSON |
功能:電池保護|電池化學成份:鋰離子|電池數:2 ~ 3|故障保護:過壓|介面:-|工作溫度:-40°C ~ 110°C(TA) |
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MSL AZ7023RTR-E1 |
監控器 |
SOT-89-3 |
卷帶(TR) |
IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SOT89 |
類型:電壓檢測器|受監控電壓數:1|電壓 - 閾值:2.3V|輸出:開路漏極或開路集電極|複位:低有效|複位超時:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL TPS70630DBVT |
穩壓器 - 線性 |
SOT-23-5 |
卷帶(TR) |
IC REG LINEAR 3V 150MA SOT23-5 |
輸出配置:正|輸出類型:固定|穩壓器數:1|電壓 - 輸入(最大值):6.5V|電壓 - 輸出(最小值/固定):3V|電壓 - 輸出(最大值):-|電壓降(最大值):1.54V @ 150mA|電流 - 輸出:150mA|電流 - 靜態 (Iq):2.55 µA|電流 - 供電(最大值):350 µA|PSRR:80dB ~ 52dB(10Hz ~ 1kHz)|控制特性:使能|保護功能:過流,超溫,反極性,欠壓鎖定(UVLO)|工作溫度:-40°C ~ 125°C |
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MSL DGD0227S8-13 |
柵極驅動器 |
8-SO |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.7V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,4A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):20ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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