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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL W948D6FBHX5J MSL W948D6FBHX5J Storage 60-VFBGA(8x9) 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) PDF
MSL W948D6FBHX5J MSL W948D6FBHX5J Storage 60-VFBGA(8x9) 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) PDF
MSL W948D6FBHX5I MSL W948D6FBHX5I Storage 60-VFBGA(8x9) 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL W948D6FBHX5I TR MSL W948D6FBHX5I TR Storage 60-VFBGA(8x9) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL W948D6FBHX5G MSL W948D6FBHX5G Storage 60-VFBGA(8x9) 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W948D6FBHX5G MSL W948D6FBHX5G Storage 60-VFBGA(8x9) 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W948D6FBHX5E MSL W948D6FBHX5E Storage 60-VFBGA(8x9) 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W948D6FBHX5E MSL W948D6FBHX5E Storage 60-VFBGA(8x9) 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W948D6FBHX5E TR MSL W948D6FBHX5E TR Storage 60-VFBGA(8x9) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W948D6FB2X5J MSL W948D6FB2X5J Storage - 託盤 IC DRAM 256MBIT PARALLEL 200MHZ 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) PDF

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