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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS42S16320D-7TL-TR MSL IS42S16320D-7TL-TR Storage 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL NLQ46PFS-8NET MSL NLQ46PFS-8NET Storage 200-FBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 4GBIT LVSTL 200FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL AT45DB021D-MH-T MSL AT45DB021D-MH-T Storage 8-UDFN(5x6) 卷帶(TR) IC FLASH 2MBIT SPI 66MHZ 8UDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:264 位元組 x 1024 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL M27C512-90C1TR MSL M27C512-90C1TR Storage 32-PLCC(11.43x13.97) 卷帶(TR) IC EPROM 512KBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS62WVS5128GALL-30NLI-TR MSL IS62WVS5128GALL-30NLI-TR Storage 8-SOP 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT SPI/QUAD 8SOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 四路 I/O,SDI|時鐘頻率:30 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:23 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2.2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S16400D-6BLI-TR MSL IS42S16400D-6BLI-TR Storage 60-迷你型BGA(6.4x10.1) 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62128BLL-70ZAE MSL CY62128BLL-70ZAE Storage 32-TSOP 散裝 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL CY62128VLL-55ZIT MSL CY62128VLL-55ZIT Storage - 散裝 SRAM 1M-BIT 128K X 8 55NS 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL NLQ43PFS-8NET MSL NLQ43PFS-8NET Storage 200-FBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 4GBIT LVSTL 200FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL NLQ43PFS-6NET MSL NLQ43PFS-6NET Storage 200-FBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 4GBIT LVSTL 200FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)

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