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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY62256LL-70ZRI MSL CY62256LL-70ZRI Storage 28-TSOP I 散裝 IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25080N-10SI-2.7 MSL AT25080N-10SI-2.7 Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 8KBIT SPI 3MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S25HL512TFANHM013 MSL S25HL512TFANHM013 Storage 8-WSON(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR MSL MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR Storage 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC)
MSL 24FC256T-I/OT MSL 24FC256T-I/OT Storage SOT-23-5 卷帶(TR) IC EEPROM 256KBIT I2C SOT23-5 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST25LF020A-33-4C-SAE-T MSL SST25LF020A-33-4C-SAE-T Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 2MBIT SPI 33MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:20µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 47L04-I/P MSL 47L04-I/P Storage 8-PDIP 管件 IC EERAM 4KBIT I2C 1MHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EERAM|技術:EEPROM,SRAM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24CS256-E/SN MSL 24CS256-E/SN Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL AT49LV002N-70VI MSL AT49LV002N-70VI Storage 32-VSOP 託盤 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32VSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL MT53E128M32D2FW-046 WT:A TR MSL MT53E128M32D2FW-046 WT:A TR Storage 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC)

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