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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AS7C31025B-10JCN MSL AS7C31025B-10JCN Storage 32-SOJ 管件 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M95640-DRMN3TP/K MSL M95640-DRMN3TP/K Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 25LC640AT-E/SN MSL 25LC640AT-E/SN Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 64KBIT SPI 10MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 11AA010T-I/TT MSL 11AA010T-I/TT Storage SOT-23-3 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT SGL WIRE SOT23-3 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:單線|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24AA01T-I/OT MSL 24AA01T-I/OT Storage SOT-23-5 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT I2C SOT23-5 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:3500 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62128DV30LL-70ZAIT MSL CY62128DV30LL-70ZAIT Storage 32-TSOP 散裝 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62127DV30LL-70BVI MSL CY62127DV30LL-70BVI Storage 48-VFBGA(6x8) 散裝 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S26KS128SDGBHV030 MSL S26KS128SDGBHV030 Storage 24-FBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 128MBIT HYPERBUS 24FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:96 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL W66BL6NBUAFJ MSL W66BL6NBUAFJ Storage 200-WFBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL BR24L02FV-WE2 MSL BR24L02FV-WE2 Storage 8-SSOP-B 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C 8SSOPB 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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