| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CY62127DV30LL-70ZIT |
Storage |
- |
散裝 |
SRAM CHIP ASYNC SINGLE 2.5V/3.3V |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL S25FL116K0XMFB040 |
Storage |
8-SOIC |
託盤 |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL GD5F4GM8UEYJGR |
Storage |
8-WSON(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:600µs|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL IS43LR32800G-6BLI |
Storage |
90-TFBGA(8x13) |
託盤 |
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M24C16-FMH6TG |
Storage |
5-UFDFPN(1.7x1.4) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 16KBIT I2C 5UFDFPN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M24C16-RMN6TP |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W25Q40CLSNIG TR |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CAT24C512YI-GT3 |
Storage |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 512KBIT I2C 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W25Q01NWTBIQ |
Storage |
24-TFBGA(8x6) |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS43QR85120B-079UBLI |
Storage |
78-TWBGA(10x14) |
散裝 |
IC DRAM 4GBIT POD 78TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:POD|時鐘頻率:1.333 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:19 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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