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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL GD9FS4G8F4DLGI MSL GD9FS4G8F4DLGI Storage - 託盤 IC FLASH 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL S29GL08GT11SFCR00 MSL S29GL08GT11SFCR00 Storage - 託盤 IC FLASH 8GBIT 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Gb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MT58L1MY18FT-8.5 MSL MT58L1MY18FT-8.5 Storage 100-TQFP(14x20.1) 散裝 IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - Standard|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 11AA161T-I/SN MSL 11AA161T-I/SN Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT SGL WIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:單線|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 11LC161-I/SN MSL 11LC161-I/SN Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 16KBIT SGL WIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:單線|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT34C02D-XHM-T MSL AT34C02D-XHM-T Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL BR24G04F-3AGTE2 MSL BR24G04F-3AGTE2 Storage 8-SOP 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.6V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MR4A08BCYS35 MSL MR4A08BCYS35 Storage 44-TSOP2 託盤 IC RAM 16MBIT PARALLEL 44TSOP2 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL DS1245Y-70IND+ MSL DS1245Y-70IND+ Storage 32-EDIP 管件 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL DS1245Y-120+ MSL DS1245Y-120+ Storage 32-EDIP 管件 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:120ns|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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