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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL DS1345WP-100IND+ |
Storage |
34-PowerCap 模块 |
散裝 |
IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S29PL064J70BFW072 |
Storage |
56-FBGA(9x7) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MTFC4GACAANA-4M IT TR |
Storage |
100-TBGA(14x18) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32GBIT MMC 100TBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:32Gb|記憶體組織:4G x 8|記憶體介面:MMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL SST39VF512-70-4I-NHE |
Storage |
32-PLCC(11.43x13.97) |
管件 |
IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL SST39VF512-70-4C-NHE |
Storage |
32-PLCC(11.43x13.97) |
管件 |
IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS46LR32160C-6BLA1 |
Storage |
90-TFBGA(8x13) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W25Q01NWZEIQ |
Storage |
8-WSON(8x6) |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT45DB642D-CNU-SL383 |
Storage |
8-CASON(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64MBIT SPI 66MHZ 8CASON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:1056 位元組 x 8192 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT24C32N-10SC-1.8 |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 32KBIT I2C 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR |
Storage |
134-VFBGA(10x11.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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