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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL N01S830BAT22I |
Storage |
8-TSSOP |
管件 |
IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MX66U1G45GMJ00 |
Storage |
16-SOP |
管件 |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60µs,790µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL MB85RC04PNF-G-JNE1 |
Storage |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC FRAM 4KBIT I2C 400KHZ 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS43DR16640B-25DBLI-TR |
Storage |
84-TWBGA(8x12.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY62146GN-45ZSXIT |
Storage |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MX25R6435FZNIL0 |
Storage |
8-WSON(6x5) |
託盤 |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CAT28C64BLI12 |
Storage |
28-PDIP |
管件 |
IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24LC04BT-I/SN |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 8 x 2|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GD9FU4G8F3AMGI |
Storage |
48-TSOP I |
託盤 |
IC FLASH 4GBIT ONFI 48TSOPI |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:18 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MX25V16066M2I02 |
Storage |
8-SOP |
管件 |
IC FLASH 16MBIT SPI 80MHZ 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:180µs,4ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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