Storage

Storage

From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT47H128M8SH-25E AIT:M TR MSL MT47H128M8SH-25E AIT:M TR Storage 60-FBGA(8x10) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL MX25L51245GMR-08G MSL MX25L51245GMR-08G Storage 16-SOP 管件 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60µs,790µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL M29W400BB90N1 MSL M29W400BB90N1 Storage 48-TSOP 託盤 IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8,256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:90ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M50FLW040AN5G MSL M50FLW040AN5G Storage 40-TSOP 託盤 IC FLASH 4MBIT PAR 33MHZ 40TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:250 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-20°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F2T08EMLEEJ4-M:E TR MSL MT29F2T08EMLEEJ4-M:E TR Storage - 卷帶(TR) IC FLASH 2TBIT VBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:2Tb|記憶體組織:256G x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL EDB5432BEPA-1DAAT-F-D MSL EDB5432BEPA-1DAAT-F-D Storage 168-WFBGA(12x12) 散裝 IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL IDT71V3577YS80PF MSL IDT71V3577YS80PF Storage 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1318CV18-250BZXC MSL CY7C1318CV18-250BZXC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 70T659S12BCI MSL 70T659S12BCI Storage 256-CABGA(17x17) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT52L512M64D4GN-107 WT:B TR MSL MT52L512M64D4GN-107 WT:B TR Storage 256-FBGA(14x14) 卷帶(TR) IC DRAM 32GBIT 933MHZ 256FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR3|存儲容量:32Gb|記憶體組織:512M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.2V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)

Online Message

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *Required fields