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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL S29PL127J60TAW130 |
Storage |
56-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:60 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 71V321S35PF |
Storage |
64-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1470BV25-200BZI |
Storage |
165-FBGA(15x17) |
託盤 |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M24C16-WBN6 |
Storage |
8-PDIP |
散裝 |
IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M27C160-100B1 |
Storage |
42-PDIP |
管件 |
IC EPROM 16MBIT PARALLEL 42DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8,1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT40A256M16GE-079E:B |
Storage |
96-FBGA(9x14) |
託盤 |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.33 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT47H32M16NF-25E AIT:H TR |
Storage |
84-FBGA(8x12.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1520UV18-300BZXC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
袋 |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS22ES08G-JCLA1 |
Storage |
153-VFBGA(11.5x13) |
託盤 |
IC FLASH 64GBIT EMMC 153VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M50FLW040BN5G |
Storage |
40-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 4MBIT PAR 33MHZ 40TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:250 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-20°C ~ 85°C(TA) |
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