| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MXD1210CPA+ |
控制器 |
8-PDIP |
管件 |
IC CNTRLR NVRAM 8-DIP |
控制器類型:非易失性 RAM|電壓 - 供電:4.77V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C |
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MSL MXD1210CSA+ |
控制器 |
8-SOIC |
管件 |
IC CNTRLR NONVOLATILE RAM 8-SOIC |
控制器類型:非易失性 RAM|電壓 - 供電:4.77V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C |
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MSL BQ2201SN-N |
控制器 |
8-SOIC |
散裝 |
IC SRAM NONVOLATILE CNTRLR 8SOIC |
控制器類型:非易失性 SRAM|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL BQ2205LYPW |
控制器 |
16-TSSOP |
管件 |
IC CTRLR SRAM NONVOLITL 16-TSSOP |
控制器類型:非易失性 SRAM|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-20°C ~ 70°C |
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MSL DS1314S-2+ |
控制器 |
8-SOIC |
管件 |
IC CTRLR NV W/BATT MON 3V 8-SOIC |
控制器類型:非易失性 RAM|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL DS1314S+ |
控制器 |
16-SOIC |
管件 |
IC CTRLR NV W/BATT MON 3V 16SOIC |
控制器類型:非易失性 RAM|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL IS46TR16128B-15HBLA1 |
Storage |
96-TWBGA(9x13) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL CY7C025AV-25AXIT |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W632GG6NB11I TR |
Storage |
96-VFBGA(7.5x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 96VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:SSTL_15|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL W632GU8QB12I |
Storage |
78-VFBGA(8x10.5) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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