Storage

Storage

From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MXD1210CPA+ MSL MXD1210CPA+ 控制器 8-PDIP 管件 IC CNTRLR NVRAM 8-DIP 控制器類型:非易失性 RAM|電壓 - 供電:4.77V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C
MSL MXD1210CSA+ MSL MXD1210CSA+ 控制器 8-SOIC 管件 IC CNTRLR NONVOLATILE RAM 8-SOIC 控制器類型:非易失性 RAM|電壓 - 供電:4.77V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C
MSL BQ2201SN-N MSL BQ2201SN-N 控制器 8-SOIC 散裝 IC SRAM NONVOLATILE CNTRLR 8SOIC 控制器類型:非易失性 SRAM|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL BQ2205LYPW MSL BQ2205LYPW 控制器 16-TSSOP 管件 IC CTRLR SRAM NONVOLITL 16-TSSOP 控制器類型:非易失性 SRAM|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-20°C ~ 70°C
MSL DS1314S-2+ MSL DS1314S-2+ 控制器 8-SOIC 管件 IC CTRLR NV W/BATT MON 3V 8-SOIC 控制器類型:非易失性 RAM|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL DS1314S+ MSL DS1314S+ 控制器 16-SOIC 管件 IC CTRLR NV W/BATT MON 3V 16SOIC 控制器類型:非易失性 RAM|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL IS46TR16128B-15HBLA1 MSL IS46TR16128B-15HBLA1 Storage 96-TWBGA(9x13) 託盤 IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL CY7C025AV-25AXIT MSL CY7C025AV-25AXIT Storage 100-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W632GG6NB11I TR MSL W632GG6NB11I TR Storage 96-VFBGA(7.5x13) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT SSTL 15 96VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:SSTL_15|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL W632GU8QB12I MSL W632GU8QB12I Storage 78-VFBGA(8x10.5) 託盤 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)

Online Message

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *Required fields