Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 7025S35J MSL 7025S35J Storage 84-PLCC(29.31x29.31) 管件 IC SRAM 128KBIT PARALLEL 84PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL SST49LF160C-33-4C-NHE MSL SST49LF160C-33-4C-NHE Storage 32-PLCC(11.43x13.97) 管件 IC FLASH 16MBIT PAR 33MHZ 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:20µs|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TA)
MSL IS45S16100E-7TLA1 MSL IS45S16100E-7TLA1 Storage 50-TSOP II 託盤 IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS45S32800D-6BLA1-TR MSL IS45S32800D-6BLA1-TR Storage 90-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 70V05L20J MSL 70V05L20J Storage 68-PLCC(24.21x24.21) 管件 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1313KV18-333BZC MSL CY7C1313KV18-333BZC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 70V06S45PF8 MSL 70V06S45PF8 Storage 64-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 128KBIT PARALLEL 64TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT46H256M32L4JV-5 IT:A MSL MT46H256M32L4JV-5 IT:A Storage 168-VFBGA(12x12) 託盤 IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT47H64M16HR-25E AAT:H MSL MT47H64M16HR-25E AAT:H Storage 84-FBGA(8x12.5) 託盤 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL MT41K1G4THD-187E:D MSL MT41K1G4THD-187E:D Storage 78-FBGA(9x11.5) 託盤 IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:4Gb|記憶體組織:1G x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:13.125 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)

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