Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MB85RS128BPNF-G-JNE1 MSL MB85RS128BPNF-G-JNE1 Storage 8-SOP 管件 IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W632GU8RB-11 TR MSL W632GU8RB-11 TR Storage - 卷帶(TR) 2GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 933MH 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL SST38VF6404B-70-5I-B3KE-T MSL SST38VF6404B-70-5I-B3KE-T Storage 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST38VF6403B-70-5I-B3KE-T MSL SST38VF6403B-70-5I-B3KE-T Storage 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST38VF6402B-70-5I-B3KE-T MSL SST38VF6402B-70-5I-B3KE-T Storage 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST38VF6401B-70-5I-B3KE-T MSL SST38VF6401B-70-5I-B3KE-T Storage 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25HP256W-10SI-2.7 MSL AT25HP256W-10SI-2.7 Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 256KBIT SPI 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25HP256W-10SC-2.7 MSL AT25HP256W-10SC-2.7 Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 256KBIT SPI 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL W29N02KZBIBE TR MSL W29N02KZBIBE TR Storage 63-FBGA(11x9) 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT 63-FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W29N02KVBIAE TR MSL W29N02KVBIAE TR Storage 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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