Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL S25FL128SAGMFIG11 MSL S25FL128SAGMFIG11 Storage 16-SOIC 管件 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S25FL128SAGMFIR11 MSL S25FL128SAGMFIR11 Storage 16-SOIC 管件 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD5F2GQ5UEYIGR MSL GD5F2GQ5UEYIGR Storage 8-WSON(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:600µs|訪問時間:9 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W29N02GVBIAF TR MSL W29N02GVBIAF TR Storage 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT 63-VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W29N02GVBIAA TR MSL W29N02GVBIAA TR Storage 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT 63-VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS25WX256-JHLE-TR MSL IS25WX256-JHLE-TR Storage 24-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 256MBIT SPI/OCT 24TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL IS43R16160F-5BLI-TR MSL IS43R16160F-5BLI-TR Storage 60-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43TR81280CL-107MBLI-TR MSL IS43TR81280CL-107MBLI-TR Storage 78-TWBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL AS4C16M16S-6BINTR MSL AS4C16M16S-6BINTR Storage 54-TFBGA(8x8) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR MSL MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR Storage 86-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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