| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL NDB18PFB-4DIT TR |
Storage |
60-FBGA(8x10) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT SSTL 60FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SSTL_18|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL NDB16PFC-5EIT |
Storage |
84-FBGA(8x12.5) |
託盤 |
IC DRAM 1GBIT SSTL 84FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:SSTL_18|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:350 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL NDB18PFB-4DIT |
Storage |
60-FBGA(8x10) |
託盤 |
IC DRAM 1GBIT SSTL 60FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SSTL_18|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL NDB16PFC-5EIT TR |
Storage |
84-FBGA(8x12.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT SSTL 84FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:SSTL_18|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:350 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL IS62WV25616ECLL-35BLI-TR |
Storage |
48-VFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT PAR |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS1C4M16PL-70BINTR |
Storage |
49-FBGA(4x4) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 49FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL IS46DR16320E-25DBLA1-TR |
Storage |
84-TWBGA(8x12.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT25320W-10SI-2.7 |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 32KBIT SPI 3MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GD25F256FFARR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC FLASH |
記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL W63AH6NBVABE |
Storage |
178-VFBGA(11x11.5) |
託盤 |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
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