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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 71024S20TYG8 |
Storage |
32-SOJ |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 71024S15TYG8 |
Storage |
32-SOJ |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 71016S15PHGI8 |
Storage |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL JS28F128J3F79B |
Storage |
56-TSOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8,8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:79ns|訪問時間:79 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT45D011-SI |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC FLASH 1MBIT SPI 15MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:264 位元組 x 512 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:15 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL NM27C256V90 |
Storage |
32-PLCC(14x11.46) |
管件 |
IC EPROM 256KBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL S27KL0642GABHB023 |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL S27KL0643GABHB023 |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 64MBIT SPI/OCTAL 24FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL S27KS0643GABHB023 |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 64MBIT SPI/OCTAL 24FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL S27KS0642GABHB023 |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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