Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL W25Q128FVFJP TR MSL W25Q128FVFJP TR Storage 16-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL W25Q128FVEJQ TR MSL W25Q128FVEJQ TR Storage 8-WSON(8x6) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL IS43DR16320E-3DBLI-TR MSL IS43DR16320E-3DBLI-TR Storage 84-TWBGA(8x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42RM16800H-6BLI-TR MSL IS42RM16800H-6BLI-TR Storage 54-TFBGA(8x8) 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42SM16800H-6BLI-TR MSL IS42SM16800H-6BLI-TR Storage 54-TFBGA(8x8) 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43DR16160B-25DBLI-TR MSL IS43DR16160B-25DBLI-TR Storage 84-TWBGA(8x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W63AH6NBVACI TR MSL W63AH6NBVACI TR Storage 178-VFBGA(11x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL W63AH2NBVACI TR MSL W63AH2NBVACI TR Storage 178-VFBGA(11x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL SP4900112XTMA2 MSL SP4900112XTMA2 Storage - 卷帶(TR) IC MEMORY 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL S25FL128SDPMFV001 MSL S25FL128SDPMFV001 Storage 16-SOIC 管件 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)

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