Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY15E064Q-SXAT MSL CY15E064Q-SXAT Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY15E064J-SXET MSL CY15E064J-SXET Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC FRAM 64KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:3.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL CY15E064J-SXAT MSL CY15E064J-SXAT Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY15B064Q-SXAT MSL CY15B064Q-SXAT Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.65V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY15B064J-SXAT MSL CY15B064J-SXAT Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1021B-12VXIT MSL CY7C1021B-12VXIT Storage 44-SOJ 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR MSL IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Storage 24-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:40ns|訪問時間:40 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVH8M8ALL-166B1LI-TR MSL IS66WVH8M8ALL-166B1LI-TR Storage 24-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:36ns|訪問時間:36 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR MSL IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR Storage 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43LR16800G-6BL-TR MSL IS43LR16800G-6BL-TR Storage 60-TFBGA(8x10) 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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