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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AS4C32M16MD1-5BCNTR MSL AS4C32M16MD1-5BCNTR Storage 60-FBGA(8x9) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TJ)
MSL CYK512K16SCAU-70BAXI MSL CYK512K16SCAU-70BAXI Storage 48-FBGA(6x8) 託盤 IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT28C256-25JC MSL AT28C256-25JC Storage 32-PLCC(13.97x11.43) 管件 IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:250 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL AT27BV010-90JI MSL AT27BV010-90JI Storage 32-PLCC(13.97x11.43) 管件 IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V,4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL IS25LP256E-RHLE MSL IS25LP256E-RHLE Storage 24-TFBGA(6x8) 散裝 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,1ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL IS42S32200L-7BL MSL IS42S32200L-7BL Storage 90-TFBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS61C25616AL-10KLI-TR MSL IS61C25616AL-10KLI-TR Storage 44-SOJ 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W66BP6NBUAFJ TR MSL W66BP6NBUAFJ TR Storage 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL W66BQ6NBUAFJ TR MSL W66BQ6NBUAFJ TR Storage 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL CG7781AAT MSL CG7781AAT Storage - 卷帶(TR) IC MEMORY 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-

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