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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AT27LV010A-12TC |
Storage |
32-TSOP |
託盤 |
IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V,4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL AT29C040A-15JI |
Storage |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT29C040A-15JC |
Storage |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL MT29F4G08ABBFAM70A3WC1 |
Storage |
模具 |
散裝 |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL DIE |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29F4G08ABAFAM70A3WC1 |
Storage |
模具 |
散裝 |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL DIE |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL 71256SA12TPG |
Storage |
28-PDIP |
管件 |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL S25FL256LDPNFN011 |
Storage |
8-WSON(6x8) |
管件 |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL W66AQ6NBHAFJ |
Storage |
100-VFBGA(10x7.5) |
託盤 |
IC DRAM 1GBIT LVSTL 100VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:LVSTL_06|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL W66AP6NBHAFJ |
Storage |
100-VFBGA(10x7.5) |
託盤 |
IC DRAM 1GBIT LVSTL 100VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL S29GL064S70TFI043 |
Storage |
48-TSOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64MBIT CFI 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:CFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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