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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AS4C32M16D3-10BCNTR |
Storage |
96-FBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
DDR3, 512MB, 32M X 16, 1.5V, 96- |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL S27KL0643DPBHB020 |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
託盤 |
IC PSRAM 64MBIT SPI/OCTAL 24FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:36ns|訪問時間:36 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL IDT71016S12PHGI8 |
Storage |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W66BP6NBQAHJ TR |
Storage |
200-TFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL W66BQ6NBQAHJ TR |
Storage |
200-TFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 06 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_06|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL IS34MW01G084-BLI |
Storage |
63-VFBGA(9x11) |
散裝 |
IC FLASH 1GBIT PAR 63FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:30 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS34MW01G164-BLI |
Storage |
63-VFBGA(9x11) |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS66WV1M16EBLL-55BLI |
Storage |
48-TFBGA(6x8) |
託盤 |
IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W25R256JWFIQ TR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
RPMC SPIFLASH, 1.8V, 256M-BIT |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL AS4C32M8SA-7TCNTR |
Storage |
54-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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