| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL W66BQ6NBQAGJ TR |
Storage |
200-TFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 06 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_06|時鐘頻率:1.867 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL W66BP6NBQAGJ TR |
Storage |
200-TFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.867 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL W632GU6NB-09 |
Storage |
96-VFBGA(7.5x13) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.067 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL IS61WV5128BLL-10KLI-TR |
Storage |
36-SOJ |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S6R2016WEB-UI10T |
Storage |
44-TSOP2 |
卷帶(TR) |
ASYNC. FAST SRAM 2M BIT, 128KX16 |
記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:- |
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MSL S6R2008WEB-UI10T |
Storage |
44-TSOP2 |
卷帶(TR) |
ASYNC. FAST SRAM 2M BIT, 256KX8, |
記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:- |
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MSL S25FL128SDSNFI001 |
Storage |
8-WSON(6x8) |
管件 |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY62138FV30LL-45ZSXI |
Storage |
44-TSOP II |
管件 |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS42S16800J-7BLI |
Storage |
54-TFBGA(8x8) |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS42S16800J-6BLI |
Storage |
54-TFBGA(8x8) |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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