| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL IS43R16160D-6TL |
Storage |
66-TSOP II |
託盤 |
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL MX25UM25345GXDI00 |
Storage |
24-CSPBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT SPI/OC 24CSPBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8,256M x 1|記憶體介面:SPI - Octal I/O,DTR|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60µs,790µs|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL IS25LP256E-RMLE-TR |
Storage |
16-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,1ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
|
 |
MSL IS25WP256D-RMLE-TR |
Storage |
16-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 256MBIT SERIAL |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:串行|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
|
 |
MSL IS25WP256D-JMLE-TR |
Storage |
16-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
|
 |
MSL IS42S32400F-7TL-TR |
Storage |
86-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL IS42S32200L-7TLI-TR |
Storage |
86-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL IS25LX256-LHLE-TR |
Storage |
24-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
256MB, OCTAL FLASH, 3V, 24-BALL |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.8ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
|
 |
MSL MX30LF2G18AC-XKJ |
Storage |
63-VFBGA(9x11) |
託盤 |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns,600µs|訪問時間:16 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
|
 |
MSL IS42S32200N-7BLI-TR |
Storage |
90-TFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|