| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL W66BQ6NBHAFJ |
Storage |
100-VFBGA(10x7.5) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 06 100VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_06|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL W66BP6NBHAFJ |
Storage |
100-VFBGA(10x7.5) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 100VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL DS2433Y-Z01/T&R |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT 1-WIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 16|記憶體介面:1-Wire®|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2 µs|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MB85RS256TYPNF-GS-BCE1 |
Storage |
8-SOP |
管件 |
IC FRAM 256KBIT SPI 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:13 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL MB85RS256TYPNF-GS-AWE2 |
Storage |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC FRAM 256KBIT SPI 33MHZ 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:13 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL IS61WV5128BLS-25TLI |
Storage |
44-TSOP II |
託盤 |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR |
Storage |
48-TSOP I |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1018DV33-10VXIT |
Storage |
32-SOJ |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M24256-BWMN6T |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS61WV5128FBLL-10BLI |
Storage |
36-TFBGA(6x8) |
散裝 |
IC SRAM 4MBIT PAR |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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