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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS43DR81280C-3DBL-TR MSL IS43DR81280C-3DBL-TR Storage 60-TWBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SSTL_18|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL IS43DR81280C-25DBL-TR MSL IS43DR81280C-25DBL-TR Storage 60-TWBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SSTL_18|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL AS1C2M16P-70BINTR MSL AS1C2M16P-70BINTR Storage 48-FBGA(6x7) 卷帶(TR) IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.6V ~ 3.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL PC28F640P33T85B TR MSL PC28F640P33T85B TR Storage 64-EasyBGA(10x13) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL PC28F640P33B85B TR MSL PC28F640P33B85B TR Storage 64-EasyBGA(10x13) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL PC28F640P30B85D TR MSL PC28F640P30B85D TR Storage 64-EasyBGA(10x13) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL PC28F640P30T85B TR MSL PC28F640P30T85B TR Storage 64-EasyBGA(10x13) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL RC28F640P30B85B TR MSL RC28F640P30B85B TR Storage 64-EasyBGA(10x13) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR MSL IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR Storage 24-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:400ns|訪問時間:40 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVH8M8DBLL-100B1LI-TR MSL IS66WVH8M8DBLL-100B1LI-TR Storage 24-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:40ns|訪問時間:40 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V,2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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