Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AT28C17E-20SC MSL AT28C17E-20SC Storage 28-SOIC 管件 IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 28SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:200µs|訪問時間:200 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL AT28HC64B-12SI MSL AT28HC64B-12SI Storage 28-SOIC 管件 IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL IS43R86400F-6TL-TR MSL IS43R86400F-6TL-TR Storage 66-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT SSTL 66TSOPII 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SSTL_2|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR MSL MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR Storage 8-SO 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI 166MHZ 8SO 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.8ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IS29GL032-70TLED MSL IS29GL032-70TLED Storage 48-TSOP I 散裝 IC FLASH 32MBIT CFI 48TSOPI 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:CFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL IS29GL032-70TLET MSL IS29GL032-70TLET Storage 48-TSOP I 散裝 IC FLASH 32MBIT CFI 48TSOPI 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:CFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL IS42S16160J-6TLI MSL IS42S16160J-6TLI Storage 54-TSOP II 管件 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S81600F-6TL MSL IS42S81600F-6TL Storage 54-TSOP II 託盤 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL W634GU6RB-09 TR MSL W634GU6RB-09 TR Storage 96-VFBGA(7.5x13) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PAR 96VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.067 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL IS43R16160D-5TL-TR MSL IS43R16160D-5TL-TR Storage 66-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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