Storage

Storage

From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AS6C1016-55BIN MSL AS6C1016-55BIN Storage 48-TFBGA(6x8) 託盤 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT45DB161E-MHD2B-T MSL AT45DB161E-MHD2B-T Storage 8-UDFN(5x6) 卷帶(TR) IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8UDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:512 位元組 x 4096 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:85 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G MSL MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G Storage 63-VFBGA(9x11) 散裝 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:30ns|訪問時間:30 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL MT29F2G16ABBGAH4-AAT:G MSL MT29F2G16ABBGAH4-AAT:G Storage 63-VFBGA(9x11) 散裝 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL S29GL256S90GHI010 MSL S29GL256S90GHI010 Storage 56-FBGA(9x7) 託盤 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT27BV256-70JI MSL AT27BV256-70JI Storage 32-PLCC(13.97x11.43) 管件 IC EPROM 256KBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V,4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL AT28HC64B-12JI MSL AT28HC64B-12JI Storage 32-PLCC(13.97x11.43) 管件 IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL W632GG8NB-12 TR MSL W632GG8NB-12 TR Storage 78-VFBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:SSTL_15|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL AS6C2008A-55BINTR MSL AS6C2008A-55BINTR Storage 36-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS6C2016-55BINTR MSL AS6C2016-55BINTR Storage 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

Online Message

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *Required fields