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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AS6C1008-55BINTR |
Storage |
36-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS6C2008-55BINTR |
Storage |
36-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MX25L25639FZ4W-08G |
Storage |
8-WSON(8x6) |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT SPI 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:30µs,1.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT45DB161B-CNC-2.5 |
Storage |
8-CASON(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 16MBIT SPI 15MHZ 8CASON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:528 位元組 x 4096 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:15 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL AT45DB161B-CNC |
Storage |
8-CASON(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 16MBIT SPI 20MHZ 8CASON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:528 位元組 x 4096 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL AS4C2M32D1A-5BCN |
Storage |
144-LFBGA(12x12) |
託盤 |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 144LFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1020B-15ZXCT |
Storage |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL S29AL016J70FFM020 |
Storage |
64-FBGA(9x9) |
託盤 |
IC FLASH 16MBIT CFI 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16,2M x 8|記憶體介面:CFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL GD9FS1G8F2AMGI |
Storage |
48-TSOP I |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:- |
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MSL IS42S32200N-6BL |
Storage |
90-TFBGA(8x13) |
託盤 |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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