Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AS7C3256A-20JIN MSL AS7C3256A-20JIN Storage 28-SOJ 管件 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD25WB256EYJGR MSL GD25WB256EYJGR Storage 8-WSON(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:300µs,8ms|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL SST26VF032-80-5I-QAE MSL SST26VF032-80-5I-QAE Storage 8-WSON(6x5) 管件 IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W29N01HVBINF MSL W29N01HVBINF Storage 63-VFBGA(9x11) 託盤 IC FLASH 1GBIT 63-VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS1C1M16P-70BINTR MSL AS1C1M16P-70BINTR Storage 48-FPBGA(6x7) 卷帶(TR) IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.6V ~ 3.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL NDS38PT5-16IT TR MSL NDS38PT5-16IT TR Storage 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL NDS38PT5-20IT MSL NDS38PT5-20IT Storage 54-TSOP II 託盤 IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:4.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL NDS38PT5-16IT MSL NDS38PT5-16IT Storage 54-TSOP II 託盤 IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL NDS38PT5-20IT TR MSL NDS38PT5-20IT TR Storage 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:4.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL NDD56PT6-2AIT MSL NDD56PT6-2AIT Storage 66-TSOP II 託盤 IC DRAM 512MBIT SSTL 66TSOPII 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:SSTL_2|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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