Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS34ML01G081-TLI-TR MSL IS34ML01G081-TLI-TR Storage 48-TSOP I 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL IS37SML01G1-MLI-TR MSL IS37SML01G1-MLI-TR Storage 16-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT SPI 104MHZ 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL MX25U12835FXDI-10G MSL MX25U12835FXDI-10G Storage 24-CSPBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24CBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:32M x 4,64M x 2,128M x 1|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:30µs,3ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S27KL0642GABHI023 MSL S27KL0642GABHI023 Storage 24-FBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S27KS0642GABHI033 MSL S27KS0642GABHI033 Storage 24-FBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S27KL0642GABHI033 MSL S27KL0642GABHI033 Storage 24-FBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S27KS0643GABHI023 MSL S27KS0643GABHI023 Storage 24-FBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 64MBIT SPI/OCTAL 24FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S27KS0642GABHI023 MSL S27KS0642GABHI023 Storage 24-FBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W632GU6QB-09 TR MSL W632GU6QB-09 TR Storage 96-VFBGA(7.5x13) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.067 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL IS42S16400D-7TLI-TR MSL IS42S16400D-7TLI-TR Storage 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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