Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL W25Q256JWBIM MSL W25Q256JWBIM Storage 24-TFBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD25LT256EFIRR MSL GD25LT256EFIRR Storage 16-SOP 卷帶(TR) IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:70µs,1.2ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVQ16M4DALL-200BLI MSL IS66WVQ16M4DALL-200BLI Storage - 託盤 64MB, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200M 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL IS66WVQ16M4DBLL-200BLI MSL IS66WVQ16M4DBLL-200BLI Storage - 託盤 64MB, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHZ 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL W632GU8NB-15 TR MSL W632GU8NB-15 TR Storage 78-VFBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL IS42S16400D-7T-TR MSL IS42S16400D-7T-TR Storage 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL W29N01HZSINA TR MSL W29N01HZSINA TR Storage 48-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:22 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F16G08CBACAL72A3WC1L MSL MT29F16G08CBACAL72A3WC1L Storage 模具 散裝 IC FLASH 16GBIT ONFI WAFER 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:16Gb|記憶體組織:2G x 8|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL W29N01HVDINF MSL W29N01HVDINF Storage 48-VFBGA(8x6.5) 託盤 IC FLASH 1GBIT 48-VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S32200N-6BL-TR MSL IS42S32200N-6BL-TR Storage 90-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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