| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL NDS66PBA-20IT |
Storage |
54-FBGA(8x8) |
託盤 |
IC DRAM 64MBIT LVTTL 54FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL NDS66PBA-20IT TR |
Storage |
54-FBGA(8x8) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT LVTTL 54FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL NDL56PFJ-8KET |
Storage |
96-FBGA(8x13) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT PAR 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL NDL56PFJ-8KET TR |
Storage |
96-FBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL NDS66PBA-16IT |
Storage |
54-FBGA(8x8) |
託盤 |
IC DRAM 64MBIT LVTTL 54FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F2G16ABBGAH4-AIT:G TR |
Storage |
63-VFBGA(9x11) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F2G08ABAGAH4-AIT:G TR |
Storage |
63-VFBGA(9x11) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS66WV1M16EBLL-70BLI-TR |
Storage |
48-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS42VM32200M-79BLI-TR |
Storage |
90-TFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS61WV12816DBLL-10BLI-TR |
Storage |
48-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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