Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL S27KL0643GABHI020 MSL S27KL0643GABHI020 Storage 24-FBGA(6x8) 託盤 IC PSRAM 64MBIT SPI/OCTAL 24FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST39LF802C-55-4C-EKE-T MSL SST39LF802C-55-4C-EKE-T Storage 48-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL SST39LF801C-55-4C-EKE-T MSL SST39LF801C-55-4C-EKE-T Storage 48-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL SST39VF802C-70-4I-EKE-T MSL SST39VF802C-70-4I-EKE-T Storage 48-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST39VF802C-70-4C-EKE-T MSL SST39VF802C-70-4C-EKE-T Storage 48-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL SST39VF801C-70-4I-EKE-T MSL SST39VF801C-70-4I-EKE-T Storage 48-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST39VF801C-70-4C-EKE-T MSL SST39VF801C-70-4C-EKE-T Storage 48-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL GD25WR256EYIGY MSL GD25WR256EYIGY Storage 8-WSON(6x8) 託盤 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT47H64M8SH-187E:H TR MSL MT47H64M8SH-187E:H TR Storage 60-FBGA(8x10) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:350 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL NM27C512Q90 MSL NM27C512Q90 Storage 28-CDIP 管件 IC EPROM 512KBIT PARALLEL 28CDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - UV|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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