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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL W25N01GVTBIG TR MSL W25N01GVTBIG TR Storage 24-TFBGA(8x6) 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:700µs|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W25Q256JWBIM TR MSL W25Q256JWBIM TR Storage 24-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1019DV33-10BVXIT MSL CY7C1019DV33-10BVXIT Storage 48-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD9FS1G8F2DMGI MSL GD9FS1G8F2DMGI Storage 48-TSOP I 託盤 IC FLASH 1GBIT PAR 48TSOPI 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns,600µs|訪問時間:16 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W632GU6QB-15 TR MSL W632GU6QB-15 TR Storage 96-VFBGA(7.5x13) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL M58LR128KT85ZB5F TR MSL M58LR128KT85ZB5F TR Storage 56-VFBGA(7.7x9) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT PAR 56VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TA)
MSL M29W064FB6AZA6F TR MSL M29W064FB6AZA6F TR Storage 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:60 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL NDS66PBA-20ET MSL NDS66PBA-20ET Storage 54-FBGA(8x8) 託盤 IC DRAM 64MBIT LVTTL 54FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AS1C512K16P-70BINTR MSL AS1C512K16P-70BINTR Storage 48-FPBGA(6x7) 卷帶(TR) IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.6V ~ 3.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS1C512K16PL-70BINTR MSL AS1C512K16PL-70BINTR Storage 48-FBGA(6x7) 卷帶(TR) IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TA)

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