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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AT49BV322AT-70TU |
Storage |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:200µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT49BV320C-70TU |
Storage |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:120µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT49BV320CT-70TI |
Storage |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:120µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL W632GU8RB-09 |
Storage |
78-VFBGA(8x10.5) |
管件 |
2GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 1066M |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.066 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL N25Q128A13ESFH0E TR |
Storage |
16-SOP2 |
卷帶(TR) |
IC FLASH 128MBIT SPI 16SOP2 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:32M x 4|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL N25Q128A13ESFA0F TR |
Storage |
16-SO |
卷帶(TR) |
IC FLASH 128MBIT SPI 108MHZ 16SO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:32M x 4|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL IS62WV12816BLL-55TI-TR |
Storage |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS62WV12816BLL-55T-TR |
Storage |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL NM27C010N150 |
Storage |
32-DIP |
管件 |
IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL NM27C010N120 |
Storage |
32-DIP |
管件 |
IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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