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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL GD5F1GQ5REYIGY MSL GD5F1GQ5REYIGY Storage 8-WSON(6x8) 託盤 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:256M x 4|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:600µs|訪問時間:9.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD5F1GQ5REYIHY MSL GD5F1GQ5REYIHY Storage 8-WSON(6x8) 託盤 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:256M x 4|記憶體介面:SPI - 四 I/O,DTR|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:600µs|訪問時間:9.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MX25L25645GMI-10G MSL MX25L25645GMI-10G Storage 16-SOP 管件 IC FLASH 256MBIT SPI 16SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:120 MHz|寫週期時間 - 字,頁:30µs,790µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MB85RS64VPNF-G-JNE1 MSL MB85RS64VPNF-G-JNE1 Storage 8-SOP 卷帶(TR) IC FRAM 64KBIT SPI 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:3V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL DS2433G+T&R MSL DS2433G+T&R Storage 2-SFN(6x6) 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT 1-WIRE 2SFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 16|記憶體介面:1-Wire®|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2 µs|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W25N01GVSFIT TR MSL W25N01GVSFIT TR Storage 16-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:700µs|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W25N01GVSFIG TR MSL W25N01GVSFIG TR Storage 16-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:700µs|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25DQ321-S3H-T MSL AT25DQ321-S3H-T Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI 100MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:256 位元組 x 16384 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:7µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL IS45S16100C1-7TLA1-TR MSL IS45S16100C1-7TLA1-TR Storage 50-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42VS16100C1-10TLI-TR MSL IS42VS16100C1-10TLI-TR Storage 50-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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