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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AT49BV322DT-70CU-T MSL AT49BV322DT-70CU-T Storage 48-CBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48CBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:120µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL W74M12JVSSIQ MSL W74M12JVSSIQ Storage 8-SOIC 管件 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS29GL032-70FLED-TR MSL IS29GL032-70FLED-TR Storage 64-LFBGA(11x13) 卷帶(TR) 32MB, 64 BALL BGA(11X13MM), 3V, 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:CFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL AT49BV320D-70CU MSL AT49BV320D-70CU Storage 47-CBGA(7x10) 託盤 IC FLASH 32MBIT PARALLEL 47CBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:120µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL AT25160-10PC-1.8 MSL AT25160-10PC-1.8 Storage 8-PDIP 管件 IC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT24C256-10PC MSL AT24C256-10PC Storage 8-PDIP 管件 IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL NDB56PFC-4DET MSL NDB56PFC-4DET Storage 84-FBGA(8x12.5) 託盤 IC DRAM 512MBIT SSTL 84FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:SSTL_18|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL NDB56PFC-4DET TR MSL NDB56PFC-4DET TR Storage 84-FBGA(8x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT SSTL 84FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:SSTL_18|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL EM6AA160BKE-4H MSL EM6AA160BKE-4H Storage 60-FBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AS4C4M16SA-7B2CNTR MSL AS4C4M16SA-7B2CNTR Storage 60-VFBGA(6.4x10.1) 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PAR 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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