Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 71V124SA10TYG8 MSL 71V124SA10TYG8 Storage 32-SOJ 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MB85RC64VPNF-G-JNE1 MSL MB85RC64VPNF-G-JNE1 Storage 8-SOP 管件 IC FRAM 64KBIT I2C 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:3V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL DS2505/T&R MSL DS2505/T&R Storage TO-92-3 卷帶(TR) IC EPROM 16KBIT 1-WIRE TO92-3 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:16Kb|記憶體組織:16K x 1|記憶體介面:1-Wire®|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:15 µs|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVS8M8FALL-104NLI-TR MSL IS66WVS8M8FALL-104NLI-TR Storage 8-SOIC 卷帶(TR) 32MB, SERIALRAM, 1.65V-1.95V, 10 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVR8M8FALL-104NLI-TR MSL IS66WVR8M8FALL-104NLI-TR Storage 8-SOIC 卷帶(TR) 64MB, SERIALRAM, CONTINUOUS OPER 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 80°C(TA)
MSL IS66WVR8M8FBLL-104NLI-TR MSL IS66WVR8M8FBLL-104NLI-TR Storage 8-SOIC 卷帶(TR) 64MB, SERIALRAM, CONTINUOUS OPER 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 80°C(TA)
MSL MT29F8G08ABACAH4:C MSL MT29F8G08ABACAH4:C Storage 63-VFBGA(9x11) 託盤 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F8G08ABABAWP-ITX:B MSL MT29F8G08ABABAWP-ITX:B Storage 48-TSOP I 託盤 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVS8M8FBLL-104NLI-TR MSL IS66WVS8M8FBLL-104NLI-TR Storage 8-SOIC 卷帶(TR) 32MB, SERIALRAM, 2.7V-3.6V, 104M 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WVS4M8ALL-104NLI-TR MSL IS66WVS4M8ALL-104NLI-TR Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC PSRAM 32MBIT SPI QPI 8SOIC 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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