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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS25LQ080B-JNLE-TR MSL IS25LQ080B-JNLE-TR Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL MT25QU128ABB1EW7-CSIT TR MSL MT25QU128ABB1EW7-CSIT TR Storage 8-WPDFN(6x5)(MLP8) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI 8WPDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,2.8ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT25QU128ABB1EW7-CAUT TR MSL MT25QU128ABB1EW7-CAUT TR Storage 8-WPDFN(6x5)(MLP8) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI 8WPDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,2.8ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR MSL MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR Storage 8-WPDFN(6x5)(MLP8) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI 8WPDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,2.8ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT25QL128ABB1EW7-CAUT TR MSL MT25QL128ABB1EW7-CAUT TR Storage 8-WPDFN(6x5)(MLP8) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI 8WPDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,2.8ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL CY7C024AV-15AXI MSL CY7C024AV-15AXI Storage 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:4K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C024-25JXCT MSL CY7C024-25JXCT Storage 84-PLCC(29.31x29.31) 卷帶(TR) IC SRAM 64KBIT PARALLEL 84PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:4K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT53D1024M32D4DT-046 AAT:E MSL MT53D1024M32D4DT-046 AAT:E Storage 200-VFBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL MT53B512M16D1Z11MWC2 MS MSL MT53B512M16D1Z11MWC2 MS Storage - 散裝 IC DRAM 8GBIT DIE 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MT47H64M16U88BWC1 MSL MT47H64M16U88BWC1 Storage 模具 散裝 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-

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