Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 7132LA55P MSL 7132LA55P Storage 48-PDIP 管件 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 48DIP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M48Z2M1V-85PL1 MSL M48Z2M1V-85PL1 Storage 36-PLDIP 模块 管件 IC NVSRAM 16MBIT PAR 36PLDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL PCF8598C-2T/02,118 MSL PCF8598C-2T/02,118 Storage 8-SO 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT I2C 100KHZ 8SO 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 6.0V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY14MB256J2-SXI MSL CY14MB256J2-SXI Storage 8-SOIC 管件 IC NVSRAM 256KBIT I2C 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:3.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY14MB064J2-SXI MSL CY14MB064J2-SXI Storage 8-SOIC 管件 IC NVSRAM 64KBIT I2C 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:3.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL PCF8594C-2T/02,118 MSL PCF8594C-2T/02,118 Storage 8-SO 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT I2C 100KHZ 8SO 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 6.0V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL PCF85116-3P/01,112 MSL PCF85116-3P/01,112 Storage 8-DIP 管件 IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT61K256M32JE-14:A MSL MT61K256M32JE-14:A Storage 180-FBGA(12x14) 託盤 IC RAM 8GBIT PAR 1.79GHZ 180FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:SGRAM - GDDR6|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.79 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.31V ~ 1.39V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL MT61K256M32JE-12:A MSL MT61K256M32JE-12:A Storage 180-FBGA(12x14) 託盤 IC RAM 8GBIT PAR 180FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:SGRAM - GDDR6|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.5 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.31V ~ 1.39V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL PCF85116-3T/01,118 MSL PCF85116-3T/01,118 Storage 8-SO 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8SO 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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