Storage

Storage

From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL PCF85116-3T/01,112 MSL PCF85116-3T/01,112 Storage 8-SO 管件 IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8SO 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F64G08CBABBWPR:B MSL MT29F64G08CBABBWPR:B Storage 48-TSOP I 管件 IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F32G08CBADBWPR:D MSL MT29F32G08CBADBWPR:D Storage 48-TSOP I 管件 IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:32Gb|記憶體組織:4G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1380DV33-200BZI MSL CY7C1380DV33-200BZI Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY621472EV30LL-45ZSXI MSL CY621472EV30LL-45ZSXI Storage 44-TSOP II 託盤 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL PCF85103C-2T/00:11 MSL PCF85103C-2T/00:11 Storage 8-SO 管件 IC EEPROM 2KBIT I2C 100KHZ 8SO 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 6.0V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL PCF85102C-2T/03,11 MSL PCF85102C-2T/03,11 Storage 8-SO 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C 100KHZ 8SO 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 6.0V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D MSL MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D Storage 376-WFBGA(14x14) 託盤 IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:48Gb|記憶體組織:768M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E MSL MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E Storage - IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:512M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 105°C(TC)
MSL MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D MSL MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D Storage 432-VFBGA(15x15) 託盤 IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:512M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)

Online Message

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *Required fields