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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT49H32M18FM-25E:B MSL MT49H32M18FM-25E:B Storage 144-µBGA(18.5x11) 散裝 IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:32M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL W631GG6KB12J MSL W631GG6KB12J Storage 96-WBGA(9x13) 託盤 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL AS4C256M8D3LB-12BIN MSL AS4C256M8D3LB-12BIN Storage 78-FBGA(8x10.5) 託盤 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL MT29F128G08CKCCBH2-12Z:C MSL MT29F128G08CKCCBH2-12Z:C Storage 100-TBGA(12x18) 散裝 IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:83 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F128G08CECBBH1-10:B MSL MT29F128G08CECBBH1-10:B Storage 100-VBGA(12x18) 散裝 IC FLASH 128GBIT PAR 100VBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AS4C256M8D3LB-12BCN MSL AS4C256M8D3LB-12BCN Storage 78-FBGA(8x10.5) 託盤 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL AS4C128M16D3LB-12BIN MSL AS4C128M16D3LB-12BIN Storage 96-BGA(13x9) 託盤 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL MT49H32M18FM-25:B MSL MT49H32M18FM-25:B Storage 144-µBGA(18.5x11) 散裝 IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:32M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL MT49H32M18BM-25E:B MSL MT49H32M18BM-25E:B Storage 144-µBGA(18.5x11) 散裝 IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:32M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL CY7C1049GE30-10VXI MSL CY7C1049GE30-10VXI Storage 36-SOJ 管件 IC SRAM 4MB 10NS 36SOIC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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