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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AT24MAC402-MAHM-E |
Storage |
8-UDFN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8UDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT49H16M36FM-25E:B |
Storage |
144-µBGA(18.5x11) |
散裝 |
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:16M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT49H16M36FM-25:B |
Storage |
144-µBGA(18.5x11) |
散裝 |
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:16M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL 7130SA55JI |
Storage |
52-PLCC(19.13x19.13) |
管件 |
IC SRAM 8KBIT PARALLEL 52PLCC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 7130SA55J8 |
Storage |
52-PLCC(19.13x19.13) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 8KBIT PARALLEL 52PLCC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT24C11Y1-10YU-1.8 |
Storage |
8-MAP(3x4.9) |
管件 |
IC EEPROM 1KBIT I2C 8MINI MAP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT24C11-10TSU-1.8 |
Storage |
SOT-23-5 |
管件 |
IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT49H16M36FM-18:B |
Storage |
144-µBGA(18.5x11) |
散裝 |
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:16M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT49H16M36BM-25:B |
Storage |
144-µBGA(18.5x11) |
散裝 |
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:16M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT29F2G08ABCWP:C TR |
Storage |
48-TSOP I |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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