Storage

Storage

From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL RM25C128C-LSNI-B MSL RM25C128C-LSNI-B Storage 8-SOIC 管件 IC CBRAM 128KBIT SPI 10MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:64 位元組頁大小|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL EDB5432BEBH-1DAAT-F-D MSL EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Storage 134-VFBGA(10x11.5) 散裝 IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL IDT71V3577YS79PF MSL IDT71V3577YS79PF Storage 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT53E1G64D4HJ-046 AAT:A TR MSL MT53E1G64D4HJ-046 AAT:A TR Storage 556-WFBGA(12.4x12.4) 卷帶(TR) IC DRAM 64GBIT PAR 556WFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:64Gb|記憶體組織:1G x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL SM662GBE-BESS MSL SM662GBE-BESS Storage 100-BGA(14x18) 託盤 IC FLASH 640GBIT EMMC 100BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:640Gb|記憶體組織:80G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 105°C
MSL MT62F1G64D4EK-023 AAT:B TR MSL MT62F1G64D4EK-023 AAT:B TR Storage 441-TFBGA(14x14) 卷帶(TR) IC DRAM 64GBIT PAR 441TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:64Gb|記憶體組織:1G x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.05V|工作溫度:-40°C ~ 105°C
MSL IS42S16320B-7TLI MSL IS42S16320B-7TLI Storage 54-TSOP II 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 70T651S15BF MSL 70T651S15BF Storage 208-CABGA(15x15) 託盤 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 70T3339S133BCI MSL 70T3339S133BCI Storage 256-CABGA(17x17) 託盤 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S29GL256S90TFI023 MSL S29GL256S90TFI023 Storage 56-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

Online Message

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *Required fields