Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL DP8429D-70 MSL DP8429D-70 控制器 52-CDIP 散裝 DRAM CONTROLLER, 1M X 1 控制器類型:動態 RAM(DRAM)|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL XC17V01VO8I MSL XC17V01VO8I 用于 FPGA 的配置 PROM 8-TSOP 管件 IC PROM SER 1M 8-SOIC 可編程類型:OTP|存儲容量:1Mb|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL DS1230Y-150+ MSL DS1230Y-150+ Storage 28-EDIP 管件 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:150ns|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 11AA040T-I/TT MSL 11AA040T-I/TT Storage SOT-23-3 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT SGL WIRE SOT23-3 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:單線|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD5F2GQ5REY2GR MSL GD5F2GQ5REY2GR Storage - 卷帶(TR) IC FLASH 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL TH58BYG3S0HBAI4 MSL TH58BYG3S0HBAI4 Storage 63-TFBGA(9x11) 託盤 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24CS256T-I/SM MSL 24CS256T-I/SM Storage 8-SOIJ 卷帶(TR) IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOIJ 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:3.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL BR93G86FVM-3AGTTR MSL BR93G86FVM-3AGTTR Storage 8-MSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS6C8016-55TINTR MSL AS6C8016-55TINTR Storage 48-TSOP I 卷帶(TR) IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24LC08BT-E/MNY MSL 24LC08BT-E/MNY Storage 8-TDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8TDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:256 x 8 x 4|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)

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