Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MX29LV400CTTC-55Q MSL MX29LV400CTTC-55Q Storage 48-TSOP 託盤 IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 25AA512-I/SN MSL 25AA512-I/SN Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 512KBIT SPI 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 23LC1024-I/ST MSL 23LC1024-I/ST Storage 8-TSSOP 管件 IC SRAM 1MBIT SPI/QUAD 8TSSOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS49RL36160A-093EBLI MSL IS49RL36160A-093EBLI Storage 168-FBGA(13.5x13.5) 託盤 IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:RLDRAM 3|存儲容量:576Mb|記憶體組織:16M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.066 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:1.28V ~ 1.42V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL M95256-RMB6TG MSL M95256-RMB6TG Storage 8-UFDFPN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 256KBIT SPI 8UFDFPN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT27C512R-70PU MSL AT27C512R-70PU Storage 28-PDIP 管件 IC EPROM 512KBIT PARALLEL 28DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL CY7C1420KV18-250BZXC MSL CY7C1420KV18-250BZXC Storage 165-FBGA(13x15) 散裝 IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1021DV33-10VXI MSL CY7C1021DV33-10VXI Storage 44-SOJ 管件 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24FC64FT-I/OT MSL 24FC64FT-I/OT Storage SOT-23-5 卷帶(TR) IC EEPROM 64KBIT I2C SOT23-5 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR MSL MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR Storage 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:12Gb|記憶體組織:384M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)

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