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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AS4C8M16S-7TCNTR MSL AS4C8M16S-7TCNTR Storage 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS62WV102416BLL-25MLI-TR MSL IS62WV102416BLL-25MLI-TR Storage 48-迷你型BGA(9x11) 卷帶(TR) IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 11AA160-I/TO MSL 11AA160-I/TO Storage TO-92-3 IC EEPROM 16KBIT SGL WIRE TO92-3 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:單線|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL R1RW0408DGE-2PR#B1 MSL R1RW0408DGE-2PR#B1 Storage 36-SOJ 管件 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL S29GL01GT11TFB020 MSL S29GL01GT11TFB020 Storage 56-TSOP 託盤 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL N25Q128A13EF840F TR MSL N25Q128A13EF840F TR Storage 8-VDFPN(MLP8)(8x6) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI 8VDFPN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:32M x 4|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V016SA20BFG8 MSL 71V016SA20BFG8 Storage 48-CABGA(7x7) 散裝 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL K6T4008C1C-GL55T00 MSL K6T4008C1C-GL55T00 Storage 32-SOP 卷帶(TR) SRAM ASYNC SLOW 4MB 512Kx8 5V 32 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS43LD32640B-25BL-TR MSL IS43LD32640B-25BL-TR Storage 134-TFBGA(10x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4|存儲容量:2Gb|記憶體組織:64M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL AS7C1024B-15JCN MSL AS7C1024B-15JCN Storage 32-SOJ 管件 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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