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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR |
Storage |
200-WFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 8GBIT 1.6GHZ 200WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL BQ4013LYMA-70N |
Storage |
32-DIP 模块(18.42x42.8) |
管件 |
IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W25Q32JWUUIQTR |
Storage |
8-USON(4x3) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL BR25H080F-2CE2 |
Storage |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL AT27C512R-70PI |
Storage |
28-PDIP |
管件 |
IC EPROM 512KBIT PARALLEL 28DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT49LV001-90TI |
Storage |
32-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL BR24G128F-3GTE2 |
Storage |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 128KBIT I2C 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.6V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 25LC512T-I/SN |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 512KBIT SPI 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL SST39VF040-70-4I-NHE-T |
Storage |
32-PLCC(11.43x13.97) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL BR24C21FV-E2 |
Storage |
8-SSOP-B |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT I2C 8SSOPB |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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