Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL R1RW0416DGE-2PI#B1 MSL R1RW0416DGE-2PI#B1 Storage 44-SOJ 管件 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112 MSL MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112 Storage 149-VFBGA(8x9.5) IC FLASH RAM 8GBIT ONFI 149WFBGA 記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:FLASH - NAND(SLC),DRAM - LPDDR4|存儲容量:8Gb(NAND),8Gb(LPDDR4)|記憶體組織:1G x 8(NAND),512M x 16(LPDDR4)|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:20ns,30ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL M3008316045NX0ITBY MSL M3008316045NX0ITBY Storage 54-TSOP 託盤 IC RAM 8MBIT PAR 54TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL FM93CS56LN MSL FM93CS56LN Storage 8-DIP 管件 IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL TE28F800F3B95 MSL TE28F800F3B95 Storage - 散裝 228F800 - NOR FLASH, 512KX16, 95 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL M95020-DRMF3TG/K MSL M95020-DRMF3TG/K Storage 8-MLP(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8MLP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 71016S15PHG8 MSL 71016S15PHG8 Storage 44-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1041GN30-10ZSXI MSL CY7C1041GN30-10ZSXI Storage 44-TSOP II 託盤 4-MBIT (256K WORDS 16 BIT) STAT 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL STK14CA8-NF25TR MSL STK14CA8-NF25TR Storage 32-SOIC 卷帶(TR) IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 71V2556SA100BG8 MSL 71V2556SA100BG8 Storage 119-PBGA(14x22) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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