Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY7C1515JV18-167BZI MSL CY7C1515JV18-167BZI Storage 165-FBGA(15x17) 託盤 IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M29F400FB55N3F2 MSL M29F400FB55N3F2 Storage 48-TSOP I 卷帶(TR) IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8,256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 71V3579S80PFG MSL 71V3579S80PFG Storage 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL S25FL127SABNFI103 MSL S25FL127SABNFI103 Storage 8-WSON(5x6) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS46LQ16256AL-062TBLA2 MSL IS46LQ16256AL-062TBLA2 Storage 200-VFBGA(10x14.5) 散裝 IC DRAM 4GBIT LVSTL 200VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL CY7C1525KV18-250BZXI MSL CY7C1525KV18-250BZXI Storage 165-FBGA(13x15) 散裝 IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:72Mb|記憶體組織:8M x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL QS7025A-20J MSL QS7025A-20J Storage - 散裝 IC SRAM 128KBIT 50MHZ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:-|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:5V|工作溫度:0°C ~ 70°C
MSL MT29F2G08ABAEAH4:E MSL MT29F2G08ABAEAH4:E Storage 63-VFBGA(9x11) 散裝 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL DS28E04S-100+ MSL DS28E04S-100+ Storage 16-SOIC 管件 IC EEPROM 4KBIT 1-WIRE 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 16|記憶體介面:1-Wire®|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2 µs|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT40A512M16LY-062E IT:E MSL MT40A512M16LY-062E IT:E Storage 96-FBGA(7.5x13.5) 託盤 IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)

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